制备了一种在p-i-n型AlGaAs GaAs材料上刻蚀微沟槽的中子探测器。通过MOCVD技术生长了变组分变掺杂的p-i-n型Al⁃GaAs GaAs，使用ICP技术在材料上刻出微沟槽，沟槽宽度为25µm，深度为10µm。探测器的探...
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